Anar al contingut (clic a Intro)
UdG Home UdG Home
Tancar
Menú

Estudia

Dades generals

Curs acadèmic:
2007
Descripció:
Dispositius de potència. Configuracions bàsiques. Aplicacions
Crèdits:
6
Idioma principal de les classes:
Català
S’utilitza oralment la llengua anglesa en l'assignatura:
Gens (0%)
S’utilitzen documents en llengua anglesa:
Poc (25%)

Grups

Grup A

Durada:
Semestral, 1r semestre
Professorat:
JOSEP POCH CLARA  / Josep Antoni Ramon Guasch

Competències

  • Identificar, interpretar el funcionament i utilitzar els components electrònics aplicats a la industria
  • Interpretar les característiques tècniques i aplicar components comercials en el disseny electrònic aplicat a la indústria
  • Dissenyar i documentar dispositius electrònics aplicats a l'àmbit industrial
  • Planificar els detalls d'execució de les instal.lacions, dispositius i sistemes dissenyats en l'àmbit de la titulació
  • Utilitzar instruments per la mesura de variables relacionades amb l'anàlisi de funcionament, calibratge i operació de circuits electrònics
  • Ser capaç d'analitzar
  • Aprendre de forma autònoma

Altres Competències

  • Introduir i formar a l'alumne en el camp de l'electrònica industrial. L'assignatura pretén proporcionar els coneixements necessaris per a dur a terme el disseny dels diferents convertidors de potència (CA-CC, CC-CC, CC-CA); analitzar els problemes que comporta la connexió d'aquests a la xarxa i a les diferents càrregues, així com proporcionart algunes aplicacions més corrents d'aquests convertidors com ara fons d'alimentació commutades, sistemes d'alimentació ininterrompuda i accionaments de màquines de DC i AC

Continguts

1. TEMA 0: Introducció

          1.1. Què s’entén per electrònica de potència?. Classificació dels convertidors. Convertidors estàtics. Classificació de les diferents estructures. Dominis d’aplicació.

2. TEMA 1: Conceptes preliminars

          2.1. Introducció.

          2.2. Definició i magnituds associades a una forma d'ona periòdica.

          2.3. Valors característics d'una forma d'ona.

          2.4. Formes d'ona periòdiques no sinusoïdals.

          2.5. Desenvolupament en sèrie de Fourier. Valors característics d'una forma d'ona formada per sinus i cosinus.

          2.6. Potència. Factor de potència.

          2.7. Exercicis

3. TEMA 2: Semiconductors utilitzats en electrònica de potència

          3.1. Introducció.

          3.2. Díode de Potència.

                    3.2.1. Estructura i símbol. Característiques estàtiques i funcionament. Pèrdues. Comportament en commutació. Tipus de díodes de Potència. Definició de tensions i corrents característics. Estudi de les característiques de díodes de potencia. Exercicis

          3.3. Refrigeració de dispositius de potència

          3.4. Introducció. Càlcul del Radiador. Exercicis

          3.5. El tiristor.

                    3.5.1. Introducció. Estructura i símbol. Estats del tiristor. Característiques estàtiques. Característiques elèctriques. Paràmetres d'intensitat. Pèrdues en conducció. Disparament del tiristor. Descripció dels diferents mètodes. Temps de disparament. Característica de porta. Protecció contra di/dt. Protecció contra dv/dt. Estudi de les característiques de tiristors. Bloqueig del Tiristor. Bloqueig estàtic i bloqueig dinàmic. Procediments exteriors de bloqueig. Classificació i descripció dels diferents tipus de tiristors. Components per al disparament i control.

          3.6. Transistors de potència.

                    3.6.1. Introducció

                    3.6.2. Transistor bipolar. Descripció física

                    3.6.3. Transistor d'unió en tall i saturació. Característiques de commutació. Circuits de base. Àrea d’operació segura. Allau secundari. Protecció en la commutació. Estudi de característiques de transistors BJT

          3.7. Transistor MOSFET. Descripció física. Classificació de les estructures

          3.8. Transistor MOS en tall i saturació. Característiques. Model del MOSFET. Característiques de commutació. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament. Capacitats paràsites. Estudi en commutació. Dominis d’aplicació. Estudi de característiques de transistors MOS

          3.9. Transistor bipolar de porta aïllada (IGBT).

                    3.9.1. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament. Característiques de commutació. Estudi de característiques de transistors IGBT

          3.10. Altres semiconductors de potència. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament.

          3.11. Dominis d'operació dels diferents semiconductors de potència

          3.12. Protecció de semiconductors

                    3.12.1. Protecció contra sobretensions. Protecció contra sobrecorrents. Exemples

4. TEMA 3: Rectificadors de mitja ona

          4.1. Introducció

          4.2. Introducció a l'estudi dels rectificadors. Generalitats. Classificació dels diferents tipus de rectificadors.

          4.3. Notació utilitzada.

          4.4. Rectificadors tipus P o de mitja ona no controlats i controlats

          4.5. Estudi de tensions i corrents pel cas monofàsic. Rectificador bifàsic: corrents i tensions. Rectificador trifàsic: estudi de corrents i tensions. Determinació del factor de potència i d'utilització. Caigudes de tensió. Rendiment.

5. TEMA 4: Rectificadors d’ona completa

          5.1. Introducció

          5.2. Rectificadors de tipus PD o d'ona completa no controlats i controlats

          5.3. Principi de funcionament. Estudi de les tensions. Estudi dels corrents. Factors de potència. Caigudes de tensió. Formes d'ona de la tensió i corrent de sortida per a diferents angles de disparament.

          5.4. Rectificadors semicontrolats

          5.5. Estudi de les tensions. Estudi dels corrents. Factors de potència. Caigudes de tensió. Rendiment.

          5.6. Aplicacions dels rectificadors no controlats i controlats

                    5.6.1. Control de motors de CC. Altres aplicacions

6. Tema 5 :Convertidors CC-CC. Fonts commutades

          6.1. Introducció. Classificació de les estructures

          6.2. El convertidor cc/cc reductor

                    6.2.1. Estudi del convertidor en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres

          6.3. Control de convertidors CC/CC

          6.4. El convertidor cc/cc elevador

                    6.4.1. Estudi del convertidor en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres

          6.5. Convertidors CC/CC elevadors-reductors

                    6.5.1. Estudi del convertidor buck-boost en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres. Estudi del convertidor de Cuk en conducció contínua .Determinació dels diferents paràmetres

          6.6. Circuit per al control de convertidors CC/CC

          6.7. Convertidors CC/CC integrats

          6.8. Aplicacions.

                    6.8.1. Fonts commutades

                    6.8.2. Comparació entre fonts d’alimentació lineals i commutades, avantatges de les commutades. Estudi i principi de funcionament de les diferents topologies: convertidor forward, flyback, push-pull.

                    6.8.3. Variadors de velocitat en motors DC

7. TEMA 6: Inversors

          7.1. Introducció

          7.2. Configuracions del circuit de potència

                    7.2.1. Transformador amb presa mitja: estudi amb diferents càrregues. Bateria amb presa mitja, semipont: estudi amb diferents càrregues. Pont: estudi amb diferents càrregues. Configuracions trifàsiques: càrrega R i càrrega RL.

          7.3. El inversor com a font d'intensitat

          7.4. Paràmetres de rendiment

          7.5. Regulació de la tensió de sortida

                    7.5.1. Variació de la tensió a l'entrada. Control de l'amplada d'impuls. Modulació d'impulsos d'alta freqüència. Objectius. Múltiples polsos. Múltiples polsos amb variació sinusoïdal

          7.6. Aplicacions.

                    7.6.1. Variadors de freqüència. Sistemes SAI.

Activitats

Tipus d’activitat Hores amb professor Hores sense professor Total
Anàlisi / estudi de casos 0 0 0
Sessió pràctica 0 0 0
Total 0 0 0

Bibliografia

  • Gualda Gil, Juan Andrés, Martínez García, Salvador, Martínez Martínez, Pedro Manuel (1992). Electrónica industrial, : técnicas de potencia (2ª ed). Barcelona [etc.]: Marcombo.
  • Mohan, Ned, Undeland, Tore M, Robbins, William P (cop. 2003). Power electronics, : converters, applications, and design (3rd ed). New York [etc.]: John Wiley & Sons.
  • Séguier, Guy (1987). Electrónica de potencia, : los convertidores estáticos de energía: funciones de base (4ª ed. ampliada). Barcelona: Gustavo Gili.
  • Rashid, M. H (cop. 1995). Electrónica de potencia, : circuitos, dispositivos y aplicaciones (2ª ed). México [etc.]: Prentice Hall Hispanoamericana.
  • A. Barrado/ A. Lázaro (2006). Problemas de Electrónica de Potencia (2006). Peason/ Prentice Hall.
  • Daniel W. Hart (2001). Electronica de Potencia (2001). Prentice Hall.

Avaluació i qualificació

Activitats d'avaluació:

Descripció de l'activitat Avaluació de l'activitat %

Qualificació

Tipus d'exàmens:

L'avaluació de l'assignatura es farà a partir de dues notes: pràctiques i teoria. La nota de pràctiques, de 0 a 10 punts, tindrà un pes sobre la global del 20 % i la nota de teoria, de 0 a 10 punts, tindrà un pes del 80 % per tant el càlcul de la nota final es fa de la següent manera:

Nota final = 0.2xNota de pràctiques + 0.8xNota de teoria

La teoria s'avaluarà en un únic examen en les dates previstes. L'avaluació es farà de la mateixa manera tant per la primera convocatòria com per a la segona.

Avaluació dels coneixements teòrics: L'avaluació es farà amb una prova escrita, aquesta prova consisteix en dos apartats un de tipus test on les qüestions són de caire teòric i un altre on es demana que l'estudiant resolgui una sèrie de problemes.

Avaluació de les pràctiques:

L'avaluació serà de forma continuada al llarg de les diferents sessions, el professor de pràctiques establirà el tipus de prova més convenient per cada pràctica.

Important
Com es dedueix del càlcul anterior, les pràctiques aporten un 20% sobre la nota final, per aprovar l’assignatura és condició indispensable aprovar les pràctiques (nota pràctiques igual o superior a 5), si no es superen, no es pot aprovar l’assignatura (tampoc es farà cap tipus de mitjana).
Igualment per la nota de teoria, per fer mitja caldrà que aquesta sigui igual o superior a 5
En cap cas es guardarà la nota de pràctiques per al curs següent. Els repetidors hauran de fer igualment totes les pràctiques previstes.

Assignatures recomanades

  • Electrònica analògica
  • Tecnologia electrònica
  • Teoria de circuits

Escull quins tipus de galetes acceptes que el web de la Universitat de Girona pugui guardar en el teu navegador.

Les imprescindibles per facilitar la vostra connexió. No hi ha opció d'inhabilitar-les, atès que són les necessàries pel funcionament del lloc web.

Permeten recordar les vostres opcions (per exemple llengua o regió des de la qual accediu), per tal de proporcionar-vos serveis avançats.

Proporcionen informació estadística i permeten millorar els serveis. Utilitzem cookies de Google Analytics que podeu desactivar instal·lant-vos aquest plugin.

Per a oferir continguts publicitaris relacionats amb els interessos de l'usuari, bé directament, bé per mitjà de tercers (“adservers”). Cal activar-les si vols veure els vídeos de Youtube incrustats en el web de la Universitat de Girona.