1. TEMA 0: Introducció
1.1. Què s’entén per electrònica de potència?. Classificació dels convertidors. Convertidors estàtics. Classificació de les diferents estructures. Dominis d’aplicació.
2. TEMA 1: Conceptes preliminars
2.1. Introducció.
2.2. Definició i magnituds associades a una forma d'ona periòdica.
2.3. Valors característics d'una forma d'ona.
2.4. Formes d'ona periòdiques no sinusoïdals.
2.5. Desenvolupament en sèrie de Fourier. Valors característics d'una forma d'ona formada per sinus i cosinus.
2.6. Potència. Factor de potència.
2.7. Exercicis
3. TEMA 2: Semiconductors utilitzats en electrònica de potència
3.1. Introducció.
3.2. Díode de Potència.
3.2.1. Estructura i símbol. Característiques estàtiques i funcionament. Pèrdues. Comportament en commutació. Tipus de díodes de Potència. Definició de tensions i corrents característics. Estudi de les característiques de díodes de potencia. Exercicis
3.3. Refrigeració de dispositius de potència
3.4. Introducció. Càlcul del Radiador. Exercicis
3.5. El tiristor.
3.5.1. Introducció. Estructura i símbol. Estats del tiristor. Característiques estàtiques. Característiques elèctriques. Paràmetres d'intensitat. Pèrdues en conducció. Disparament del tiristor. Descripció dels diferents mètodes. Temps de disparament. Característica de porta. Protecció contra di/dt. Protecció contra dv/dt. Estudi de les característiques de tiristors. Bloqueig del Tiristor. Bloqueig estàtic i bloqueig dinàmic. Procediments exteriors de bloqueig. Classificació i descripció dels diferents tipus de tiristors. Components per al disparament i control.
3.6. Transistors de potència.
3.6.1. Introducció
3.6.2. Transistor bipolar. Descripció física
3.6.3. Transistor d'unió en tall i saturació. Característiques de commutació. Circuits de base. Àrea d’operació segura. Allau secundari. Protecció en la commutació. Estudi de característiques de transistors BJT
3.7. Transistor MOSFET. Descripció física. Classificació de les estructures
3.8. Transistor MOS en tall i saturació. Característiques. Model del MOSFET. Característiques de commutació. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament. Capacitats paràsites. Estudi en commutació. Dominis d’aplicació. Estudi de característiques de transistors MOS
3.9. Transistor bipolar de porta aïllada (IGBT).
3.9.1. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament. Característiques de commutació. Estudi de característiques de transistors IGBT
3.10. Altres semiconductors de potència. Estructura i simbologia. Característiques estàtiques i principi de funcionament.
3.11. Dominis d'operació dels diferents semiconductors de potència
3.12. Protecció de semiconductors
3.12.1. Protecció contra sobretensions. Protecció contra sobrecorrents. Exemples
4. TEMA 3: Rectificadors de mitja ona
4.1. Introducció
4.2. Introducció a l'estudi dels rectificadors. Generalitats. Classificació dels diferents tipus de rectificadors.
4.3. Notació utilitzada.
4.4. Rectificadors tipus P o de mitja ona no controlats i controlats
4.5. Estudi de tensions i corrents pel cas monofàsic. Rectificador bifàsic: corrents i tensions. Rectificador trifàsic: estudi de corrents i tensions. Determinació del factor de potència i d'utilització. Caigudes de tensió. Rendiment.
5. TEMA 4: Rectificadors d’ona completa
5.1. Introducció
5.2. Rectificadors de tipus PD o d'ona completa no controlats i controlats
5.3. Principi de funcionament. Estudi de les tensions. Estudi dels corrents. Factors de potència. Caigudes de tensió. Formes d'ona de la tensió i corrent de sortida per a diferents angles de disparament.
5.4. Rectificadors semicontrolats
5.5. Estudi de les tensions. Estudi dels corrents. Factors de potència. Caigudes de tensió. Rendiment.
5.6. Aplicacions dels rectificadors no controlats i controlats
5.6.1. Control de motors de CC. Altres aplicacions
6. Tema 5 :Convertidors CC-CC. Fonts commutades
6.1. Introducció. Classificació de les estructures
6.2. El convertidor cc/cc reductor
6.2.1. Estudi del convertidor en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres
6.3. Control de convertidors CC/CC
6.4. El convertidor cc/cc elevador
6.4.1. Estudi del convertidor en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres
6.5. Convertidors CC/CC elevadors-reductors
6.5.1. Estudi del convertidor buck-boost en conducció contínua. Determinació dels diferents paràmetres. Estudi del convertidor de Cuk en conducció contínua .Determinació dels diferents paràmetres
6.6. Circuit per al control de convertidors CC/CC
6.7. Convertidors CC/CC integrats
6.8. Aplicacions.
6.8.1. Fonts commutades
6.8.2. Comparació entre fonts d’alimentació lineals i commutades, avantatges de les commutades. Estudi i principi de funcionament de les diferents topologies: convertidor forward, flyback, push-pull.
6.8.3. Variadors de velocitat en motors DC
7. TEMA 6: Inversors
7.1. Introducció
7.2. Configuracions del circuit de potència
7.2.1. Transformador amb presa mitja: estudi amb diferents càrregues. Bateria amb presa mitja, semipont: estudi amb diferents càrregues. Pont: estudi amb diferents càrregues. Configuracions trifàsiques: càrrega R i càrrega RL.
7.3. El inversor com a font d'intensitat
7.4. Paràmetres de rendiment
7.5. Regulació de la tensió de sortida
7.5.1. Variació de la tensió a l'entrada. Control de l'amplada d'impuls. Modulació d'impulsos d'alta freqüència. Objectius. Múltiples polsos. Múltiples polsos amb variació sinusoïdal
7.6. Aplicacions.
7.6.1. Variadors de freqüència. Sistemes SAI.